Press-Pack IGBT
Tiskovni paket IGBT (IEGT)
| TIP | VDRM V | VRRM V | IT(AV)@80℃ A | ITGQM@CS A / µF | ITSM@10ms kA | VTM V | VTO V | rT mΩ | TVJM ℃ | Rthjc ℃/W | |
| CSG07E1400 | 1400 | 100 | 250 | 700 | 2 | 4 | ≤2,2 | ≤1,20 | ≤0,50 | 125 | 0,075 |
| CSG07E1700 | 1700 | 16 | 240 | 700 | 1.5 | 4 | ≤2,5 | ≤1,20 | ≤0,50 | 125 | 0,075 |
| CSG15F2500 | 2500 | 17 | 570 | 1500 | 3 | 10 | ≤2,8 | ≤1,50 | ≤0,90 | 125 | 0,027 |
| CSG20H2500 | 2500 | 17 | 830 | 2000. godine | 6 | 16 | ≤2,8 | ≤1,66 | ≤0,57 | 125 | 0,017 |
| CSG25H2500 | 2500 | 16 | 867 | 2500 | 6 | 18 | ≤3,1 | ≤1,66 | ≤0,57 | 125 | 0,017 |
| CSG30J2500 | 2500 | 17 | 1350 | 3000 | 5 | 30 | ≤2,5 | ≤1,50 | ≤0,33 | 125 | 0,012 |
| CSG10F2500 | 2500 | 15 | 830 | 1000 | 2 | 12 | ≤2,5 | ≤1,66 | ≤0,57 | 125 | 0,017 |
| CSG06D4500 | 4500 | 17 | 210 | 600 | 1 | 3.1 | ≤4,0 | ≤1,90 | ≤0,50 | 125 | 0,05 |
| CSG10F4500 | 4500 | 16 | 320 | 1000 | 1 | 7 | ≤3,5 | 1.9 | ≤0,35 | 125 | 0,03 |
| CSG20H4500 | 4500 | 16 | 745 | 2000. godine | 2 | 16 | ≤3,2 | ≤1,8 | ≤0,85 | 125 | 0,017 |
| CSG30J4500 | 4500 | 16 | 870 | 3000 | 6 | 16 | ≤4,0 | ≤2,2 | ≤0,60 | 125 | 0,012 |
| CSG40L4500 | 4500 | 16 | 1180 | 4000 | 3 | 20 | ≤4,0 | ≤2,1 | ≤0,58 | 125 | 0,011 |
Bilješka:D- s djodni dio, A-bez diodnog dijela
Konvencionalno, lemljeni kontaktni IGBT moduli primijenjeni su u rasklopnim uređajima fleksibilnog istosmjernog prijenosnog sustava.Paket modula ima jednostrano odvođenje topline.Kapacitet napajanja uređaja je ograničen i nije prikladan za spajanje u seriju, kratak životni vijek u slanom zraku, slaba zaštita od vibracija ili toplinski zamor.
Novi tip press-contact IGBT uređaja velike snage press-pack ne samo da u potpunosti rješava probleme praznog mjesta u procesu lemljenja, toplinskog zamora materijala za lemljenje i niske učinkovitosti jednostranog odvođenja topline, već također uklanja toplinski otpor između različitih komponenti, minimizirati veličinu i težinu.I značajno poboljšati radnu učinkovitost i pouzdanost IGBT uređaja.Prilično je prikladan da zadovolji zahtjeve visoke snage, visokog napona i visoke pouzdanosti fleksibilnog sustava istosmjernog prijenosa.
Zamjena tipa lemljenog kontakta s press-pack IGBT-om je imperativ.
Od 2010. Runau Electronics je razrađen za razvoj novog tipa press-pack IGBT uređaja i naslijedi proizvodnju u 2013. Izvedba je certificirana nacionalnom kvalifikacijom i vrhunsko postignuće je dovršeno.
Sada možemo proizvesti i ponuditi serijske IGBT-ove za tisak IC raspona od 600A do 3000A i VCES raspona od 1700V do 6500V.Izuzetno se očekuje sjajna mogućnost primjene IGBT-a izrađenog u Kini u fleksibilnom sustavu istosmjernog prijenosa u Kini i postat će još jedna prekretnica svjetske klase u kineskoj industriji energetske elektronike nakon brzih električnih vlakova.
Kratak uvod u tipični način rada:
1. Način rada: Press-pack IGBT CSG07E1700
●Električne karakteristike nakon pakiranja i prešanja
● Obrnutoparalelnopovezandioda za brzi oporavakzaključio
● Parametar:
Nazivna vrijednost（25℃）
a.Napon emitera kolektora: VGES=1700（V）
b.Napon emitera vrata: VCES=±20（V）
c.Struja kolektora: IC=800（A）ICP=1600（A）
d.Rasipanje snage kolektora: PC=4440（W）
e.Radna temperatura spoja: Tj=－20~125℃
f.Temperatura skladištenja: Tstg=－40~125℃
Napomena: uređaj će se oštetiti ako premaši nazivnu vrijednost
ElektričniCkarakteristike, TC＝125℃，Rth (toplinski otpor odspajanje naslučaj）nije uključeno
a.Struja curenja vrata: IGES=±5（μA）
b.Blokirajuća struja kolektora emitera ICES=250 (mA)
c.Napon zasićenja kolektora emitera: VCE(sat)=6(V)
d.Napon praga emitera: VGE(th)=10(V)
e.Vrijeme uključivanja: Ton=2,5μs
f.Vrijeme isključivanja: Toff=3μs
2. Način rada: Press-pack IGBT CSG10F2500
●Električne karakteristike nakon pakiranja i prešanja
● Obrnutoparalelnopovezandioda za brzi oporavakzaključio
● Parametar:
Nazivna vrijednost（25℃）
a.Napon emitera kolektora: VGES=2500（V）
b.Napon emitera vrata: VCES=±20（V）
c.Struja kolektora: IC=600（A）ICP=2000（A）
d.Rasipanje snage kolektora: PC=4800（W）
e.Radna temperatura spoja: Tj=－40~125℃
f.Temperatura skladištenja: Tstg=－40~125℃
Napomena: uređaj će se oštetiti ako premaši nazivnu vrijednost
ElektričniCkarakteristike, TC＝125℃，Rth (toplinski otpor odspajanje naslučaj）nije uključeno
a.Struja curenja vrata: IGES=±15（μA）
b.Blokirajuća struja kolektora emitera ICES=25 (mA)
c.Napon zasićenja kolektora emitera: VCE(sat)=3,2 (V)
d.Napon praga emitera vrata: VGE(th)=6,3(V)
e.Vrijeme uključivanja: Ton=3,2μs
f.Vrijeme isključivanja: Toff=9.8μs
g.Prednji napon diode: VF=3,2 V
h.Vrijeme povratnog oporavka diode: Trr=1,0 μs
3. Način rada: Press-pack IGBT CSG10F4500
●Električne karakteristike nakon pakiranja i prešanja
● Obrnutoparalelnopovezandioda za brzi oporavakzaključio
● Parametar:
Nazivna vrijednost（25℃）
a.Napon emitera kolektora: VGES=4500（V）
b.Napon emitera vrata: VCES=±20（V）
c.Struja kolektora: IC=600（A）ICP=2000（A）
d.Rasipanje snage kolektora: PC=7700（W）
e.Radna temperatura spoja: Tj=－40~125℃
f.Temperatura skladištenja: Tstg=－40~125℃
Napomena: uređaj će se oštetiti ako premaši nazivnu vrijednost
ElektričniCkarakteristike, TC＝125℃，Rth (toplinski otpor odspajanje naslučaj）nije uključeno
a.Struja curenja vrata: IGES=±15（μA）
b.Blokirajuća struja kolektora emitera ICES=50 (mA)
c.Napon zasićenja kolektora emitera: VCE(sat)=3,9 (V)
d.Napon praga emitera vrata: VGE(th)=5,2 (V)
e.Vrijeme uključivanja: Ton=5.5μs
f.Vrijeme isključivanja: Toff=5.5μs
g.Prednji napon diode: VF=3,8 V
h.Vrijeme povratnog oporavka diode: Trr=2,0 μs
Bilješka:Press-pack IGBT ima prednost u dugoročnoj visokoj mehaničkoj pouzdanosti, visokoj otpornosti na oštećenja i karakteristikama strukture press spoja, pogodan je za korištenje u serijskim uređajima, au usporedbi s tradicionalnim GTO tiristorom, IGBT je metoda naponskog pogona .Stoga je jednostavan za rukovanje, siguran i širokog radnog raspona.